DAM1

Project Description

Condensador para amortiguar IGBT DAM1

Descripción

Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados  repetidamente con elevados picos de corriente. Esta serie está especialmente indicada para aplicaciones que requieren grandes capacidades a altas tensiones.

Construcción

Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente cilíndrico encapsulado con resina PU. Estos elementos utilizan  film de polipropileno metalizado y están diseñados para proporcionar una baja autoinductancia y resistencia serie.

También  soportan grandes picos de corriente y altas corrientes RMS. Se puede montar en la posición que el semiconductor requiera.

Tensión nominal UN DC1000 – 3200 V
Autoinductancia LN≤ 10nH
Dieléctrico Polipropileno
Tolerancia de capacidad± 10%
Temperatura de trabajo– 25 / 70 ºC
Temperatura almacenamiento– 40 / 70 ºC
Prueba de tensiónEntre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC
Par máx.M8 – 7 Nm
Envolvente Cilíndrico
Desconexión por sobrepresiónNo
Normas IEC 61071

Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.

FicheroFechaTamaño
Ficha técnica19/04/20180.1 MB

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