Condensador para amortiguar IGBT DAM1
Descripción
Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados repetidamente con elevados picos de corriente. Esta serie está especialmente indicada para aplicaciones que requieren grandes capacidades a altas tensiones.
Construcción
Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente cilíndrico encapsulado con resina PU. Estos elementos utilizan film de polipropileno metalizado y están diseñados para proporcionar una baja autoinductancia y resistencia serie.
También soportan grandes picos de corriente y altas corrientes RMS. Se puede montar en la posición que el semiconductor requiera.
| Tensión nominal UN DC | 1000 – 3200 V |
| Autoinductancia LN | ≤ 10nH |
| Dieléctrico | Polipropileno |
| Tolerancia de capacidad | ± 10% |
| Temperatura de trabajo | – 25 / 70 ºC |
| Temperatura almacenamiento | – 40 / 70 ºC |
| Prueba de tensión | Entre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC |
| Par máx. | M8 – 7 Nm |
| Envolvente | Cilíndrico |
| Desconexión por sobrepresión | No |
| Normas | IEC 61071 |
Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.
| Fichero | Fecha | Tamaño |
| Ficha técnica | 19/04/2018 | 0.1 MB |