Amortiguación archivos - Lifasa https://lifasa.com/productos/amortiguacion/ Fri, 11 Oct 2019 09:50:47 +0000 es hourly 1 DAM1 https://lifasa.com/producto/dam1/ Thu, 19 Apr 2018 17:00:00 +0000 http://lifasa.pruebasweb.com.es/?post_type=avada_portfolio&p=970 La entrada DAM1 se publicó primero en Lifasa.

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DAM1 esquema

Condensador para amortiguar IGBT DAM1

Descripción

Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados  repetidamente con elevados picos de corriente. Esta serie está especialmente indicada para aplicaciones que requieren grandes capacidades a altas tensiones.

Construcción

Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente cilíndrico encapsulado con resina PU. Estos elementos utilizan  film de polipropileno metalizado y están diseñados para proporcionar una baja autoinductancia y resistencia serie.

También  soportan grandes picos de corriente y altas corrientes RMS. Se puede montar en la posición que el semiconductor requiera.

Tensión nominal UN DC 1000 – 3200 V
Autoinductancia LN ≤ 10nH
Dieléctrico Polipropileno
Tolerancia de capacidad ± 10%
Temperatura de trabajo – 25 / 70 ºC
Temperatura almacenamiento – 40 / 70 ºC
Prueba de tensión Entre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC
Par máx. M8 – 7 Nm
Envolvente Cilíndrico
Desconexión por sobrepresión No
Normas IEC 61071

Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.

Fichero Fecha Tamaño
Ficha técnica 19/04/2018 0.1 MB

Contacta con nosotros si necesitas más información

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]]> DAM2 https://lifasa.com/producto/dam2/ Thu, 19 Apr 2018 16:07:37 +0000 http://lifasa.pruebasweb.com.es/?post_type=avada_portfolio&p=980 La entrada DAM2 se publicó primero en Lifasa.

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DAM2
DAM2 esquema

Condensador para amortiguar IGBT DAM2

Descripción

Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados repetidamente con elevados picos de corriente.

Construcción

Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente prismático de plástico encapsulado con resina PU. Se construyen con  film de tecnología MKP de polipropileno metalizado. El bajo valor de autoinductancia y de resistencia garantiza y permite al condensador absorber altas corrientes.

Sus terminales de fijación permiten el conexionado directo sobre los módulos de semiconductor. Se puede montar en la posición que el semiconductor requiera.

Tensión nominal UN DC 2500 – 3600 V
Autoinductancia LN ≤ 12nH
Dieléctrico Polipropileno
Tolerancia de capacidad ± 10%
Temperatura de trabajo – 25 / 70 ºC
Temperatura almacenamiento – 40 / 70 ºC
Prueba de tensión Entre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC
Fijación M5

M6
Envolvente Prismática
Desconexión por sobrepresión No
Normas IEC 61071

Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.

Fichero Fecha Tamaño
Ficha técnica 19/04/2018 0.1 MB

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]]> DAM3 https://lifasa.com/producto/dam3/ Thu, 19 Apr 2018 14:13:34 +0000 http://lifasa.pruebasweb.com.es/?post_type=avada_portfolio&p=984 La entrada DAM3 se publicó primero en Lifasa.

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DAM3 esquema

Condensador para amortiguar IGBT DAM3

Descripción

Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados repetidamente con elevados picos de corriente.

Construcción

Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente prismático de plástico encapsulado con resina PU. Se construyen con polipropileno metalizado. Su diseño garantiza un bajo valor de autoinductancia y de resistencia.

Sus terminales de fijación permiten el conexionado directo sobre los módulos de semiconductor. Admite ser montado en cualquier posición según requieran los semiconductores. Su diseño permite conectar en paralelo varias unidades “apilándolas”.

Tensión nominal UN DC 600 – 1400 V
Autoinductancia LN ≤ 12nH
Dieléctrico Polipropileno
Tolerancia de capacidad ± 10%
Temperatura de trabajo – 25 / 70 ºC
Temperatura almacenamiento – 40 / 70 ºC
Prueba de tensión Entre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC
Fijación M5

M6
Envolvente Prismática
Desconexión por sobrepresión No
Normas IEC 61071

Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.

Fichero Fecha Tamaño
Ficha técnica 19/04/2018 0.1 MB

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