Descripción del proyecto
Condensador para amortiguar IGBT DAM2
Descripción
Los condensadores de conmutación DAM se utilizan para proteger semiconductores (transistores IGBT). Estos son cargados y descargados repetidamente con elevados picos de corriente.
Construcción
Los elementos capacitivos autoregenerantes se colocan en un envolvente prismático de plástico encapsulado con resina PU. Se construyen con film de tecnología MKP de polipropileno metalizado. El bajo valor de autoinductancia y de resistencia garantiza y permite al condensador absorber altas corrientes.
Sus terminales de fijación permiten el conexionado directo sobre los módulos de semiconductor. Se puede montar en la posición que el semiconductor requiera.
| Tensión nominal UN DC | 2500 – 3600 V |
| Autoinductancia LN | ≤ 12nH |
| Dieléctrico | Polipropileno |
| Tolerancia de capacidad | ± 10% |
| Temperatura de trabajo | – 25 / 70 ºC |
| Temperatura almacenamiento | – 40 / 70 ºC |
| Prueba de tensión | Entre terminales (durante 10s): 1,5xUN DC |
| Fijación | M5 M6 |
| Envolvente | Prismática |
| Desconexión por sobrepresión | No |
| Normas | IEC 61071 |
Otras potencias, tensiones y frecuencias bajo pedido.
| Fichero | Fecha | Tamaño |
| Ficha técnica | 19/04/2018 | 0.1 MB |
